Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipProduct Type
MOSFET Modules
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
236A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Pakuotės tipas
Module
Serija
MSCSMC
Mount Type
Direct
Kaiščių skaičius
33
Maximum Drain Source Resistance Rds
8.5mΩ
Channel Mode
Enhancement Mode
Maximum Power Dissipation Pd
604W
Minimali darbinė temperatūra
-40°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
726nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
21V
Forward Voltage Vf
4.7V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
16.4mm
Ilgis
56.7mm
Plotis
62.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The Microchip Advanced silicon carbide power module delivers exceptional performance in high-efficiency applications, particularly in demanding environments requiring robust power management and thermal capabilities.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 159,00
€ 159,00 už 1 vnt. (be PVM)
€ 192,39
€ 192,39 už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 159,00
€ 159,00 už 1 vnt. (be PVM)
€ 192,39
€ 192,39 už 1 vnt. (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipProduct Type
MOSFET Modules
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
236A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Pakuotės tipas
Module
Serija
MSCSMC
Mount Type
Direct
Kaiščių skaičius
33
Maximum Drain Source Resistance Rds
8.5mΩ
Channel Mode
Enhancement Mode
Maximum Power Dissipation Pd
604W
Minimali darbinė temperatūra
-40°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
726nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
21V
Forward Voltage Vf
4.7V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
16.4mm
Ilgis
56.7mm
Plotis
62.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The Microchip Advanced silicon carbide power module delivers exceptional performance in high-efficiency applications, particularly in demanding environments requiring robust power management and thermal capabilities.