Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
151A
Maximum Drain Source Voltage Vds
3300V
Serija
mSiC
Mount Type
Heatsink
Channel Mode
Enhancement Mode
Minimali darbinė temperatūra
-40°C
Maximum Power Dissipation Pd
1013W
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Transistor Configuration
Half Bridge
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The Microchip silicon carbide power module offers a phase leg configuration to effectively control high-voltage power applications through superior efficiency and reliability.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 600,00
€ 600,00 už 1 vnt. (be PVM)
€ 726,00
€ 726,00 už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 600,00
€ 600,00 už 1 vnt. (be PVM)
€ 726,00
€ 726,00 už 1 vnt. (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
151A
Maximum Drain Source Voltage Vds
3300V
Serija
mSiC
Mount Type
Heatsink
Channel Mode
Enhancement Mode
Minimali darbinė temperatūra
-40°C
Maximum Power Dissipation Pd
1013W
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Transistor Configuration
Half Bridge
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The Microchip silicon carbide power module offers a phase leg configuration to effectively control high-voltage power applications through superior efficiency and reliability.