Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonMaximum Continuous Collector Current
315 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
4
Configuration
Triple
Pakuotės tipas
AG-EASY3B
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
P
Kilmės šalis
Germany
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
P.O.A.
Infineon F3L500R12W3H7H20BPSA1, P-Channel Triple IGBT Module, 315 A 1200 V AG-EASY3B, Through Hole
1

P.O.A.
Infineon F3L500R12W3H7H20BPSA1, P-Channel Triple IGBT Module, 315 A 1200 V AG-EASY3B, Through Hole
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonMaximum Continuous Collector Current
315 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
4
Configuration
Triple
Pakuotės tipas
AG-EASY3B
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
P
Kilmės šalis
Germany