Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
95 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.05mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
8.6 nC @ 10 V
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 3,18
€ 0,318 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 3,85
€ 0,385 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 3,18
€ 0,318 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 3,85
€ 0,385 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
95 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.05mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
8.6 nC @ 10 V
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas


