Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
X2-DFN1006
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.95V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Plotis
0.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.35mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 7,55
€ 0,151 Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 9,14
€ 0,183 Each (In a Pack of 50) (su PVM)
Standartas
50

€ 7,55
€ 0,151 Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 9,14
€ 0,183 Each (In a Pack of 50) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
X2-DFN1006
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.95V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Plotis
0.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.35mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas