Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexTvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOD-123
Maximum Continuous Forward Current
500mA
Peak Reverse Repetitive Voltage
30V
Diode Configuration
Single
Rectifier Type
Schottky Rectifier
Diode Type
Schottky
Kaiščių skaičius
2
Maximum Forward Voltage Drop
430mV
Number of Elements per Chip
1
Diode Technology
Schottky Barrier
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
5.5A
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
€ 38,76
€ 0,065 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 46,90
€ 0,079 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
600

€ 38,76
€ 0,065 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 46,90
€ 0,079 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
600

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
600 - 1400 | € 0,065 | € 6,46 |
1500+ | € 0,057 | € 5,70 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexTvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOD-123
Maximum Continuous Forward Current
500mA
Peak Reverse Repetitive Voltage
30V
Diode Configuration
Single
Rectifier Type
Schottky Rectifier
Diode Type
Schottky
Kaiščių skaičius
2
Maximum Forward Voltage Drop
430mV
Number of Elements per Chip
1
Diode Technology
Schottky Barrier
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
5.5A
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.