Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.55mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 972,50
€ 0,389 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1 176,72
€ 0,471 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500

€ 972,50
€ 0,389 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1 176,72
€ 0,471 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
2500

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.55mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas