Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5.6 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
2.38mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 8,54
€ 0,854 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 10,33
€ 1,033 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 8,54
€ 0,854 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 10,33
€ 1,033 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5.6 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
2.38mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas