Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.67mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 19,00
€ 1,90 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 22,99
€ 2,30 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 19,00
€ 1,90 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 22,99
€ 2,30 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
10 - 49 | € 1,90 |
50 - 99 | € 1,75 |
100 - 249 | € 1,65 |
250+ | € 1,35 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.67mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas