Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.3 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
38 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.8mm
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Aukštis
2.3mm
€ 3 125,00
€ 1,25 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 3 781,25
€ 1,512 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500

€ 3 125,00
€ 1,25 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 3 781,25
€ 1,512 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
2500

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.3 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
38 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.8mm
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Aukštis
2.3mm