Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
MDmesh
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Aukštis
15.75mm
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 5,20
€ 5,20 už 1 vnt. (be PVM)
€ 6,29
€ 6,29 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

€ 5,20
€ 5,20 už 1 vnt. (be PVM)
€ 6,29
€ 6,29 už 1 vnt. (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
MDmesh
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Aukštis
15.75mm
Produkto aprašymas