Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 40mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
85pF
Source Gate On-Capacitance
85pF
Matmenys
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.58mm
Aukštis
4.58mm
Plotis
3.86mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 34,20
€ 0,342 Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (be PVM)
€ 41,38
€ 0,414 Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Maišas)
100

€ 34,20
€ 0,342 Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (be PVM)
€ 41,38
€ 0,414 Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Maišas)
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina | Per Maišas |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,342 | € 8,55 |
250 - 475 | € 0,296 | € 7,40 |
500+ | € 0,261 | € 6,52 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 40mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
85pF
Source Gate On-Capacitance
85pF
Matmenys
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.58mm
Aukštis
4.58mm
Plotis
3.86mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.