Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SC-70-6L
Serija
TrenchFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
13.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
2.2mm
Aukštis
1mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China
€ 606,00
€ 0,202 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 733,26
€ 0,244 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 606,00
€ 0,202 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 733,26
€ 0,244 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SC-70-6L
Serija
TrenchFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
13.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
2.2mm
Aukštis
1mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China