Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaPower Switch Topology
High Side
Power Switch Type
High Side Switch
Switch On Resistance
1.2Ω
Maximum Operating Supply Voltage
40 V
Number of Outputs
8
Galingumas
1.2W
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SSOP
Kaiščių skaičius
24
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Matmenys
13.5 x 6 x 1.4mm
Produkto aprašymas
Intelligent Power Devices (IPDs), Toshiba
Power and Load Switches, Toshiba
Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.
€ 127,50
€ 5,10 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 154,28
€ 6,17 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

€ 127,50
€ 5,10 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 154,28
€ 6,17 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
25 - 99 | € 5,10 |
100 - 249 | € 4,95 |
250 - 499 | € 4,85 |
500+ | € 4,75 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaPower Switch Topology
High Side
Power Switch Type
High Side Switch
Switch On Resistance
1.2Ω
Maximum Operating Supply Voltage
40 V
Number of Outputs
8
Galingumas
1.2W
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SSOP
Kaiščių skaičius
24
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Matmenys
13.5 x 6 x 1.4mm
Produkto aprašymas
Intelligent Power Devices (IPDs), Toshiba
Power and Load Switches, Toshiba
Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.