Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.4 A, 4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Serija
IRF7343PbF
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
0.065 Ω, 0.17 Ω
Channel Mode
Depletion
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.5mm
€ 1 612,00
€ 0,403 Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 1 950,52
€ 0,488 Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000

€ 1 612,00
€ 0,403 Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 1 950,52
€ 0,488 Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
4000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.4 A, 4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Serija
IRF7343PbF
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
0.065 Ω, 0.17 Ω
Channel Mode
Depletion
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.5mm