Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
2.78 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33.7 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
2.26mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 14,56
€ 0,582 Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 17,62
€ 0,704 Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25

€ 14,56
€ 0,582 Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 17,62
€ 0,704 Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,582 | € 14,56 |
125 - 600 | € 0,351 | € 8,76 |
625 - 1225 | € 0,316 | € 7,91 |
1250+ | € 0,309 | € 7,72 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
2.78 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33.7 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
2.26mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas