Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
HVMDIP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.29mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
3.37mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 59,94
€ 0,599 Each (In a Tube of 100) (be PVM)
€ 72,53
€ 0,725 Each (In a Tube of 100) (su PVM)
100

€ 59,94
€ 0,599 Each (In a Tube of 100) (be PVM)
€ 72,53
€ 0,725 Each (In a Tube of 100) (su PVM)
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
HVMDIP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.29mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
3.37mm
Produkto aprašymas