Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
RRR040P03
Pakuotės tipas
TSMT-3
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
72 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.85mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 28,90
€ 0,289 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 34,97
€ 0,35 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

€ 28,90
€ 0,289 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 34,97
€ 0,35 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 180 | € 0,289 | € 5,78 |
200 - 480 | € 0,281 | € 5,62 |
500 - 980 | € 0,274 | € 5,48 |
1000+ | € 0,268 | € 5,36 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
RRR040P03
Pakuotės tipas
TSMT-3
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
72 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.85mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas