Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
Si4435DYPbF
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Typical Power Gain
0
€ 2,52
€ 0,252 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 3,05
€ 0,305 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 2,52
€ 0,252 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 3,05
€ 0,305 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
Si4435DYPbF
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Typical Power Gain
0