Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-346
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
1.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.7mm
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.3mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 361,95
€ 0,121 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 437,96
€ 0,146 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 361,95
€ 0,121 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 437,96
€ 0,146 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-346
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
1.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.7mm
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.3mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas