Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serija
MDmesh
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
43.6 nC @ 10 V
Plotis
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
20.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 5,70
€ 5,70 už 1 vnt. (be PVM)
€ 6,90
€ 6,90 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

€ 5,70
€ 5,70 už 1 vnt. (be PVM)
€ 6,90
€ 6,90 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 5,70 |
10 - 99 | € 4,84 |
100 - 499 | € 3,85 |
500 - 999 | € 3,70 |
1000+ | € 3,66 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serija
MDmesh
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
43.6 nC @ 10 V
Plotis
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
20.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Produkto aprašymas