Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
MICRO FOOT
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Plotis
1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.268mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 51,00
€ 0,255 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 61,71
€ 0,309 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
200

€ 51,00
€ 0,255 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 61,71
€ 0,309 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
200

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
200 - 980 | € 0,255 | € 5,10 |
1000 - 1980 | € 0,232 | € 4,64 |
2000 - 4980 | € 0,217 | € 4,34 |
5000+ | € 0,204 | € 4,08 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
MICRO FOOT
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Plotis
1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.268mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas