Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
HVMDIP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V
Plotis
6.29mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
3.37mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 10,92
€ 1,09 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 13,21
€ 1,32 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Juosta)
10

€ 10,92
€ 1,09 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 13,21
€ 1,32 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Juosta)
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
10 - 49 | € 1,09 |
50 - 99 | € 1,00 |
100 - 249 | € 0,92 |
250+ | € 0,84 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
HVMDIP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V
Plotis
6.29mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
3.37mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas