Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
SC-70-6L
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
19 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Ilgis
2.2mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
€ 991,80
€ 0,331 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1 200,08
€ 0,40 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 991,80
€ 0,331 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1 200,08
€ 0,40 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
SC-70-6L
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
19 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Ilgis
2.2mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China