Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
7mm
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
2.3mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
Japan
€ 1 187,50
€ 0,594 Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 1 436,88
€ 0,719 Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000

€ 1 187,50
€ 0,594 Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 1 436,88
€ 0,719 Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
7mm
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
2.3mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
Japan