Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
19 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 3,34
€ 0,334 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 4,04
€ 0,404 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 3,34
€ 0,334 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 4,04
€ 0,404 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
19 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas