Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
2.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 9,50
€ 0,038 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 11,50
€ 0,046 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
250

€ 9,50
€ 0,038 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 11,50
€ 0,046 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
250

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
250 - 1225 | € 0,038 | € 0,95 |
1250 - 2475 | € 0,038 | € 0,95 |
2500 - 12475 | € 0,037 | € 0,93 |
12500+ | € 0,035 | € 0,88 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
2.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
Produkto aprašymas