Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Serija
HEXFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
0.0058 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
€ 8,36
€ 0,836 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 10,12
€ 1,012 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 8,36
€ 0,836 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 10,12
€ 1,012 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Serija
HEXFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
0.0058 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1