Vishay P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V, 4-Pin MICRO FOOT SI8489EDB-T2-E1
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
MICRO FOOT
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Plotis
1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.268mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 47,80
€ 0,239 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 57,84
€ 0,289 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
200
€ 47,80
€ 0,239 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 57,84
€ 0,289 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
200
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 200 - 980 | € 0,239 | € 4,78 |
| 1000 - 1980 | € 0,217 | € 4,34 |
| 2000 - 4980 | € 0,203 | € 4,06 |
| 5000+ | € 0,191 | € 3,82 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
MICRO FOOT
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Plotis
1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.268mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products