Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.8mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 118,75
€ 2,375 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 143,69
€ 2,874 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
50

€ 118,75
€ 2,375 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 143,69
€ 2,874 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 120 | € 2,375 | € 11,88 |
125 - 245 | € 2,28 | € 11,40 |
250 - 495 | € 2,185 | € 10,92 |
500+ | € 1,948 | € 9,74 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.8mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas