Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.46V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China
€ 36,48
€ 0,365 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 44,14
€ 0,442 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

€ 36,48
€ 0,365 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 44,14
€ 0,442 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 475 | € 0,365 | € 9,12 |
500 - 975 | € 0,304 | € 7,60 |
1000+ | € 0,259 | € 6,48 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.46V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China