Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
1212
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
3.15mm
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1.07mm
Kilmės šalis
China
€ 19,00
€ 1,90 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 22,99
€ 2,299 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 19,00
€ 1,90 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 22,99
€ 2,299 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
1212
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
3.15mm
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1.07mm
Kilmės šalis
China