Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220SIS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
4.5mm
Transistor Material
Si
Aukštis
15mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 5,94
€ 1,188 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 7,19
€ 1,437 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5

€ 5,94
€ 1,188 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 7,19
€ 1,437 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,188 | € 5,94 |
25 - 95 | € 1,045 | € 5,22 |
100 - 245 | € 0,922 | € 4,61 |
250 - 495 | € 0,879 | € 4,39 |
500+ | € 0,854 | € 4,27 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220SIS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
4.5mm
Transistor Material
Si
Aukštis
15mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas