Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
VSONP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.7 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 2,43
€ 0,486 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 2,94
€ 0,588 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

€ 2,43
€ 0,486 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 2,94
€ 0,588 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
VSONP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.7 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas