Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TO-247
Serija
STripFET
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
84 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.15mm
Ilgis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-50 °C
Aukštis
20.15mm
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 108,30
€ 3,61 Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 131,04
€ 4,368 Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30

€ 108,30
€ 3,61 Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 131,04
€ 4,368 Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
30 - 30 | € 3,61 | € 108,30 |
60 - 120 | € 2,898 | € 86,92 |
150+ | € 2,85 | € 85,50 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TO-247
Serija
STripFET
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
84 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.15mm
Ilgis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-50 °C
Aukštis
20.15mm
Produkto aprašymas