Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
RUM001L02
Pakuotės tipas
SOT-723
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Plotis
0.9mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
1.3mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.45mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 4,42
€ 0,029 Each (In a Pack of 150) (be PVM)
€ 5,35
€ 0,035 Each (In a Pack of 150) (su PVM)
Standartas
150

€ 4,42
€ 0,029 Each (In a Pack of 150) (be PVM)
€ 5,35
€ 0,035 Each (In a Pack of 150) (su PVM)
Standartas
150

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
RUM001L02
Pakuotės tipas
SOT-723
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Plotis
0.9mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
1.3mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.45mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas