Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
5 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
80 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Kilmės šalis
China
€ 30,50
€ 0,61 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 36,90
€ 0,738 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

€ 30,50
€ 0,61 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 36,90
€ 0,738 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,61 | € 30,50 |
100 - 450 | € 0,444 | € 22,18 |
500 - 950 | € 0,407 | € 20,33 |
1000+ | € 0,397 | € 19,86 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
5 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
80 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Kilmės šalis
China