Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
36 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
LFPAK, SOT-669
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
21.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
37 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.25mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.15mm
€ 2 433,90
€ 0,811 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 2 945,02
€ 0,981 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 2 433,90
€ 0,811 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 2 945,02
€ 0,981 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
36 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
LFPAK, SOT-669
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
21.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
37 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.25mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.15mm