Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
360 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 96,90
€ 0,032 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 117,25
€ 0,039 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 96,90
€ 0,032 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 117,25
€ 0,039 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
360 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas