Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serija
650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Pakuotės tipas
PG-HSOF-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
P.O.A.
1 Reel of 1 (be PVM)
Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device SiC N-Channel MOSFET, 63 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT65R040CFD7XTMA1
2000

P.O.A.
1 Reel of 1 (be PVM)
Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device SiC N-Channel MOSFET, 63 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT65R040CFD7XTMA1
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
2000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serija
650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Pakuotės tipas
PG-HSOF-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC