Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.55mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 39,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 47,19
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

€ 39,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 47,19
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.55mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas