Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Serija
TrenchFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.6V
Maximum Power Dissipation
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
5mm
Ilgis
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1.07mm
Kilmės šalis
China
€ 1 858,20
€ 0,619 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 2 248,42
€ 0,749 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 1 858,20
€ 0,619 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 2 248,42
€ 0,749 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Serija
TrenchFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.6V
Maximum Power Dissipation
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
5mm
Ilgis
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1.07mm
Kilmės šalis
China