Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
UF6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
66 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
2mm
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 4 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.7mm
Kilmės šalis
Thailand
€ 361,95
€ 0,121 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 437,96
€ 0,146 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 361,95
€ 0,121 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 437,96
€ 0,146 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
UF6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
66 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
2mm
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 4 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.7mm
Kilmės šalis
Thailand