Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Serija
MDmesh, SuperMESH
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Plotis
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
20.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 4,13
€ 4,13 už 1 vnt. (be PVM)
€ 5,00
€ 5,00 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

€ 4,13
€ 4,13 už 1 vnt. (be PVM)
€ 5,00
€ 5,00 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 4,13 |
10 - 24 | € 3,70 |
25 - 99 | € 3,52 |
100 - 499 | € 2,80 |
500+ | € 2,52 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Serija
MDmesh, SuperMESH
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Plotis
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
20.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas