Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Pakuotės tipas
SOT-89
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
-50nA
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Plotis
2.6mm
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Ilgis
4.6mm
Aukštis
1.6mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 3,87
€ 0,387 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 4,68
€ 0,468 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 3,87
€ 0,387 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 4,68
€ 0,468 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Pakuotės tipas
SOT-89
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
-50nA
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Plotis
2.6mm
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Ilgis
4.6mm
Aukštis
1.6mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas