Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
330 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Serija
BSN20BK
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.67 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.4mm
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.49 nC @ 4.5 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 88,92
€ 0,148 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 107,59
€ 0,179 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
600

€ 88,92
€ 0,148 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 107,59
€ 0,179 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
600

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
600 - 1400 | € 0,148 | € 14,82 |
1500+ | € 0,128 | € 12,82 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
330 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Serija
BSN20BK
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.67 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.4mm
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.49 nC @ 4.5 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas