Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
300 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
50
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
300 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Produkto aprašymas
High Voltage Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 21,52
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 26,04
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
80

€ 21,52
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 26,04
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
80

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
300 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
50
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
300 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Produkto aprašymas


