Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Transistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
400 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Maximum Operating Frequency
60 Hz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
10.3 x 4.7 x 16mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
High Voltage Transistors, WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors, WeEn Semiconductors
€ 16,50
€ 0,33 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 19,96
€ 0,399 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
50

€ 16,50
€ 0,33 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 19,96
€ 0,399 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Transistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
400 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Maximum Operating Frequency
60 Hz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
10.3 x 4.7 x 16mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas