Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
57 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
90 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
9.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 20,42
€ 4,085 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 24,71
€ 4,943 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

€ 20,42
€ 4,085 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 24,71
€ 4,943 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 4,085 | € 20,42 |
25 - 45 | € 3,515 | € 17,58 |
50 - 120 | € 2,992 | € 14,96 |
125 - 245 | € 2,85 | € 14,25 |
250+ | € 2,422 | € 12,11 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
57 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
90 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
9.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas