Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
230 nC @ 10 V
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 16,62
€ 3,325 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 20,11
€ 4,023 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

€ 16,62
€ 3,325 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 20,11
€ 4,023 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 3,325 | € 16,62 |
25 - 45 | € 2,85 | € 14,25 |
50 - 120 | € 2,66 | € 13,30 |
125 - 245 | € 2,47 | € 12,35 |
250+ | € 2,328 | € 11,64 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
230 nC @ 10 V
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas